Record NAND di Intel & Micron con 64 Gb su 25 nm di tipo TLC
17/08/2010 18:30 CET
Chip da 3 bit per cell raggiungeranno gli 8 GB su una litografia studiata dalla joint venture IM Flash Technologies e prodotta nelle fabbriche Intel.
Il più miniaturizzato pezzo di silicio capace di memorizzare 8 GB di dati misura 131 millimetri quadrati e lo ha inventato IM Flash Technologies, la joint venture tra Intel e Micron.
Il prodotto è stato annunciato oggi, ma la produzione di massa avverrà solo a fine anno.
Kevin Kilbuck (illustrato accanto con un wafer di chip di nuovo tipo) di Micron spiega l’evoluzione delle memorie NAND, da quelle veloci di tipo SLC – Single Level Cell a singolo bit alle MLC – Multi Level Cell con 2 bit, ma ora arrivano le TLC – Triple Level Cell o 3 bit per cell. Più bit sono contenuti in ogni cella e più si abbassa il costo, ma su questo argomento non sono state fornite indicazioni dal produttore.
La miniaturizzazione della tecnologia della litografia a 25 nm rappresenta un nuovo primato per i 64 Gb, ovvero il 20% in meno delle dimensioni degli attuali prodotti con analoga capacità di memorizzazione.
Samsung e Toshiba si affidano ancora alla tecnologia @ 30 nm per i prodotti più evoluti.
