Nuovo standard DDR 2 per memorie NAND di Samsung e Toshiba
22/07/2010 07:00 CET
Le nuove specifiche innalzano l’interfaccia da 40 o 133 a 400 megabit al secondo.
Hanno trovato un’alleanza i principali produttori di memorie flash di tipo NAND.
Samsung e Toshiba supportano il nuovo standard DDR – Double Data Rate 2, che porta la velocità del flusso dei dati dai 40 Mbps (tipo SDR) o 133 Mbps (tipo DDR 1) attuali a ben 400 Mbps.
La progettazione asincrona ad alta velocità delle memorie le rende ideali per SSD, smartphone, terminali multimediali e Samsung sottolinea come la tecnologia miniaturizzata @ 30 nm sia alla base di questa rivoluzione, che si concretizzerà con l’adozione della telefonia di quarta generazione, lo sviluppo dei tablet e la sostituzione degli hard disk con SSD.
Toshiba ha recentemente avviato la costruzione di una nuova fabbrica di memorie NAND in Giappone, che opererà anche per SanDisk.
