SanDisk & Toshiba battono Intel & Micron per 19 nm a 20 nm
21/04/2011 07:00 CET
La memoria da 8 GB più piccola al mondo passa ad 1 nm in meno, per ridurre sempre di più le dimensioni. Prossimamente 128 Gb in smartphone e tablet.
La battaglia alla miniaturizzazione più spinta non vede soste.
E’ durato 7 giorni il primato di Intel & Micron, con le memorie NAND prodotte dalla joint venture IM Flash (che ha appena aperto una fabbrica di NAND a Singapore per wafer da 300 mm con tecnologia @ 25 nm), utilizzando la tecnologia @ 20 nm.
Con SanDisk e Toshiba la litografia si rimpicciolisce ulteriormente con l’annuncio odierno delle memorie MLC – Multi Level Cell @ 19 nm.
La collaborazione tra la società californiana e quella nipponica prosegue, il nuovo prodotto che vedrà la luce entro la fine del mese (con produzione di massa attesa per il terzo trimestre del 2011) adotterà inizialmente la tecnologia X2 (2 bit per cell), ma passerà alla X3 (3 bit per cell) tra qualche mese.
Toshiba (che non cita SanDisk) anticipa che sarà possibile assemblare negli impianti giapponesi 16 chip come questi da 8 GB, per creare blocchi di memoria da 128 GB destinati a smartphone e tablet. Il processo @ 19 nm integra Toggle DDR2, per migliori velocità di trasferimento dati.
Tra i fornitori di Apple per le memorie NAND c’è proprio Toshiba, anche se non esclusivamente.
Il chip monolitico da 64 Gb proposto da SanDisk e Toshiba è il nuovo primato mondiale per le memorie NAND.
