SanDisk e Toshiba costruiscono assieme le NAND
07/08/2006 17:30 CET
Si accordano i due produttori per assemblare in Giappone le nuove schede di memoria a stato solido che tutti vogliono. Niente cresce sul mercato come le NAND. Aggiornato.
Con un investimento di 5,2 miliardi di dollari la Flash Alliance (Toshiba 50.1% e SanDisk 49.9%) ha deciso che sarà costruita una nuova fabbrica di memorie flash in Giappone.
Il “nemici” comuni sono i coreani di Samsung e, per competere sulla richiesta mondiale di NAND, la fabbrica numero 4 sorgerà nel complesso industriale di Yokkaichi, nato nel febbraio del 2005 nei pressi di Nagoya. SanDisk e Toshiba vogliono il 40% del mercato (ora detengono il 30%).
I due partner (uno è il quarto produttore mondiale di chip e l’altro il primo fornitore al mondo di schede di memoria) abbasseranno i costi e aumenteranno la capacità collaborando nella produzione del tipo di memorie a stato solido che tutti vogliono in questo momento.
Shozo Saito di Toshiba nota come nessun altro microchip cresce al livello delle memorie NAND e che in futuro potrebbe nascere anche un quinto stabilimento.
L’investimento da qui al marzo 2008 sarà di 2,61 miliardi di dollari, lo stabilimento sarà attivo a partire dall’autunno del 2007 con una produzione di 2.500 wafer da 300 millimetri e 56 nm, sarà raggiunta una produzione di 67.500 wafer entro la fine del 2008 con una capacità di 150.000 wafer mensili, il che sarà del 36% maggiore rispetto all’attuale quantità di chip prodotti dalle due aziende.
Toshiba ha calcolato che le memorie flash di tipo NAND cresceranno da un mercato dal valore di 16,19 miliardi di dollari del 2006 a 22,62 milioni di dollari nel 2008.
Aggiornamento del 04/09/2007: SanDisk e Toshiba annunciano l’avvio delle attività nel nuovo e grande stabilimento Fab 4 di Yokkaichi, la produzione di massa sarà raggiunta nel dicembre 2007 e per la metà del 2008 la produzione salità ad 80.000 wafer al mese. Successivamente Flash Alliance spera di ottenere da queste linee 210.000 wafer mensili. A partire dal marzo 2008 la tecnologia costruttiva passerà ai 43 nm, dai 56 nm attuali.
