Samsung porta le memorie NAND a 2 GB
28/06/2006 07:00 CET
Gli stabilimenti del produttore leader delle memorie flash raggiungono i 2 GB per le OneNAND di seconda generazione, raddoppiando le velocità di scrittura.
I coreani sono stati in grado di portare i chip con tecnologia da 70 nm a 60 nm delle memorie flash utilizzate in svariate periferiche, come gli iPod, a 2 GB con aumento della velocità di scrittura da 9,3 Mbps a 17 Mbps. Tutto ciò in meno di 4 mesi.
I chip da 1 GB esordinavo in novembre 2004.
E' possibile raggiungere fino 136 Mbps di flusso di scrittura combinando assieme 8 chip da 2 GB.
Per le OneNAND si tratta di un doppio record incamerando la velocità di lettura delle memorie NOR e quella delle NAND in scrittura.
Viene anticipato da Samsung il tipo di uso per memorie di questo taglio: telefoni cellulari multimediali, fotocamere digitali, memory card e televisori digitali o più in generale come memoria buffer per le attività di scrittura e lettura nelle operazioni di un sistema.
Nei computer si fa sempre più a portata di mano l'idea di creare dei laptop con HHD – Hybrid Hard Disk ovvero una combinazione di hard disk e memorie flash, con risparmi energetici del 90% rispetto agli hard disk, inoltre raddoppiando la vita della periferica di registrazione.
Samsung dal business delle OneNAND stima di vendere chip per 300 milioni di dollari quest'anno, per il 2008 dovrebbe raggiungere i 2 miliardi di dollari.
La concorrenza su questo tipo di memorie si sta dando da fare: la coreana Hynix (in collaborazione con l'israeliana M-Systems) ha avviato la produzione delle DOC – DiskOnChip pochi mesi fa, la statunitense Micron ha annunciato di entrare in questo mercato solo questo mese.
