Nuove NAND da primato da SanDisk e Toshiba
11/02/2009 07:00 CET
Vanno in produzione i chip con tecnologia @ 43 nm e intanto sono annunciati quelli @ 32 nm. Presentazione all’ISSCC – International Solid-State Circuits Conference di San Francisco.
Toshiba e SanDisk hanno annunciato innovazioni rivoluzionarie nel campo della tecnologia a più bit-per-cell nelle memorie a stato solido di tipo NAND MLC – Multi-Level Cell.
La soluzione consentirà nella seconda metà del 2009 di produrre chip @ 32 nm con densità maggiori in dimensioni ridotte, fino a 32 Gb per 3 bit-per-cell con controller X3. Risulteranno più piccoli dei chip con 16 Gb e 2 bit-per-cell fabbricati con la tecnologia @ 43 nm e controller X4, attualmente in produzione.
I chip @ 32 nm saranno l’ideale per la realizzazione di schede microSD o SSD ad alte capacità e prestazioni.
Recentemente SanDisk ha annunciato di aver ceduto gran parte delle quote della joint venture con Toshiba al partner giapponese.
Solo un paio di giorni fa Toshiba annunciava la realizzazione di un prototipo di memoria FeRAM – Ferroelectric Random Access Memory da 128 MB che assicura una banda di 1,6 Gbps in lettura/scrittura.
