NAND fino a 16 Gb @ 56 nm da SanDisk & Toshiba
24/01/2007 07:00 CET
Sono le memorie di quinta generazione che assicurano la più alta densità di dati. Subito il taglio da 8 Gb e, per aprile, quello da 16 Gb. Sono prodotte dalla partnership nippo-californiana nell'impianto congiunto di Yokkaichi.
SanDisk e Toshiba hanno lanciato le memorie NAND MLC – Multi-level Cell con capacità di 8/16 Gb e tecnologia @ 56 nanometri.
La fabbrica Fab 3 che le due aziende hanno in gestione congiunta vicino a Nagoya, a Yokkaichi, produrrà i wafer da 300 millimetri con le memorie flash a più alta densità, maggiore velocità in scrittura ed a basso costo.
Il taglio monolitico da 16 Gb (2 GB) TC58NVG4D1DTG00 sarà il record del settore e i chip (12 x 20 x 1,2 mm) saranno disponibili ad inizio del secondo trimestre dell'anno. Per fine gennaio saranno invece disponibili i chip da 8 Gb (1 GB) TC58NVG3D1DTG00.
Le memorie flash di tipo NAND più popolari sono attualmente quelle che si fondano sulla tecnologia @ 70 nm. Quelle da 56 nm potranno assicurare circa il doppio della velocità di scrittura dei dati (10 MB al secondo), rispetto alla generazione @ 70 nm.
Entro la fine del 2007 nascerà nella medesima location la Fab 4 ed opererà sempre per la Flash Alliance (SanDisk + Toshiba).
Con l'occasione segnaliamo il cambio del marchio SanDisk, avvenuto ad inizio anno. SanDisk sarà sponsor della Ducati nel prossimo campionato Moto GP.
