Le prime NAND hi-speed sono di Micron
01/02/2008 17:00 CET
Performance quintuplicate con le nuove memorie basate su ONFi 2 che saranno costruite dalla IM Flash Technologies, società di Micron ed Intel. Lettura a 200 MB al secondo e scrittura a 100 MB al secondo.
saranno costruite dalla IM Flash Technologies, società di Micron ed
Intel. Lettura a 200 MB al secondo e scrittura a 100 MB al secondo.
Le nuove NAND SLC sono in grado di leggere dati fino alla velocità di 200 MB al secondo e di scriverli a 100 MB al secondo, grazie all'implementazione della specifica ONFi – Open NAND Flash interface 2 ed all'architettura a quattro livelli con velocità di clock superiori. A titolo comparativo, nei moduli di memoria NAND SLC standard, la velocità di lettura dei dati non supera i 40 MB al secondo ed i 20 MB al secondo in scrittura.
L'impiego di queste memorie è previsto nei drive SSD o ibridi, schede di memorizzazione per fotocamere, negli smartphone e nei lettori multimediali. Sarà anche utile in soluzioni che traggono vantaggio dalle interfacce di sistema ad alta performance, tra cui PCIe oppure standard imminenti come USB 3 (larghezza di banda decuplicata rispetto a USB 2, quindi circa 4,8 Gb al secondo).
La nuova tecnologia, sviluppata congiuntamente da Intel e Micron sarà prodotta negli stabilimenti di IM Flash Technologies, la joint-venture tra le due aziende per le memorie flash NAND.
Progettato in base al nodo di processo a 50 nanometri, il componente NAND ad alta velocità SLC da 8 Gb di Micron si trova al momento in fase di campionamento presso selezionati OEM e produttori di controllori, la produzione di massa dovrebbe essere avviata nella seconda metà del 2008.
