IM Flash Technologies, aspettate che arriviamo
06/11/2006 22:00 CET
La joint venture tra Intel e Micron per la produzione di memoria NAND sta per completare gli stabilimenti da dove nasceranno nuovi moduli a 300 millimetri.
Lo stabilimento all'avanguardia che sta sorgendo a Lehi, poco a sud di Salt Lake City, nello Utah, è in anticipo rispetto ai tempi previsti e per l'inizio del 2007 è previsto il primo modulo di memoria NAND da 300 millimetri.
La joint venture si porta avanti producendo NAND attualmente nello stabilimento Micron a Boise, Idaho.
Lo scorso luglio, Micron e Intel hanno inoltre introdotto sul mercato i primi campioni di memoria Flash NAND del settore costruiti in base a una tecnologia di processo da 50 nanometri. Entrambe le società stanno attualmente campionando dispositivi a 50 nm da 4 GB, e hanno in programma la produzione di una gamma di prodotti, inclusa la tecnologia NAND a cellule multilivello, per l'inizio del prossimo anno.
Oggi Intel e Micron hanno annunciato l'intenzione di formare una nuova joint venture a Singapore per aggiungere un quarto stabilimento di fabbricazione alle attuali capacità di produzione di memoria Flash NAND, si prevede l'inizio della produzione nel secondo semestre del 2008, con tecnologia di processo a 50 nm su cialde da 300 mm.
