NAND per iPod/iPhone. Samsung con 16 Gb @ 51 nm
30/04/2007 07:00 CET
Anche Samsung avvia la produzione di memorie flash NAND di tipo MLC nei tagli da 16 Gigabit ma con circuiteria ulteriormente ridotta a 51 nm.
Samsung è il primo produttore che raggiunge questo livello di miniaturizzazione nella produzione di massa e Jim Elliott, direttore del marketing delle memorie flash di Samsung, ha dichiarato: "siamo mezza generazione avanti rispetto al resto del settore, che sta introducendo la circuiteria @ 55 nm e oltre".
La circuiteria @ 51nm è più efficiente del 60% rispetto alla tecnologia a 60 nm. Solo otto mesi fa Samsung produceva i tagli da 8 Gb @ 60 nm.
Le memorie MLC @ 51 nm leggono i dati a 30 MB al secondo e li scrivono a 8 MB al secondo, quasi il doppio (80%) di quanto fanno le memorie MLC @ 60 nm (17 MB al secondo in lettura e 4,4 MB al secondo in scrittura).
Samsung indica chiaramente la ddestinazione di queste memorie: lettori MP3 e telefoni cellulari.
Proprio Apple, con i suoi iPod e gli imminenti iPhone, è uno dei produttori che necessità grandi quantità di forniture di memorie flash.
Samsung è uno dei partner di Apple e, proprio in questi giorni secondo DigiTimes, le due aziende starebbero discutendo nuovi contratti di fornitura dai grandissimi numeri per le necessità, della seconda metà dell'anno.
Il fabbisogno di Apple sarebbe salito del 10-15% rispetto ai precedenti contratti e, ora, Cupertino necessita di 400/500 milioni di chip NAND da 4 Gb (512 MB). Rispondendo alle leggi di mercato i prezzi starebbero salendo, di circa il 20%.
Nel caso Samsung non riuscisse a soddisfare simili richieste, Apple continua a rifornirsi anche da Hynix, Micron e Toshiba.